Исследование инфракрасных фоторезисторов на внутризонных переходах в квантовых ямах InGaAs/GaAs: Описание лабораторной работы
Горшков А.П., Карпович И.А., Филатов Д.О.
В работе описаны физические основы межподзонного поглощения излучения в квантовых ямах, принцип работы основанных на этом явлении резистивных инфракрасных фотодетекторов и методика исследования их спектральной характеристики на фурье-спектрометре. Для студентов вузов, обучающихся по специальности 202000 ''Нанотехнологии в микроэлектронике''. Подготовлено на кафедре физики полупроводников и оптоэлектроники ННГУ
Categorias:
Ano:
2006
Editora:
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Idioma:
russian
Páginas:
18
Arquivo:
PDF, 495 KB
IPFS:
,
russian, 2006
Litres
Quer adicionar a sua livraria? Entre em contato conosco em support@z-lib.do
Converter ficheiros 
Mais resultados de pesquisa
Outros benefícios 
Frases chave
Listas de livros relacionados
